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Fattore di forma SO-DIMMTipo di memoria DDR3Capacità 4 GB (4 GB x 1)Configurazione canale Kit canale singoloVelocità testata (XMP/EXPO) 1600 MT/sLatenza CAS 11-11-11Tensione DRAM 1,50V
G.Skill
1001150100007
1 Articolo

Riferimenti Specifici

MPN
F3-12800CL11S-4GBSQ

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